反相器
用于电子线路设计的设备
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反相器是构成数字ISI的基本门电路之一，基本门电路用于进行数字信号的转换。如用1表示电压高的状态，用0表示电压低的状态，这些都来自半导体数字技术的规定。以此来构建数字电路的时候，有时需要从1到0的转换，或者从0到1的转换，这种作用在数字技术领域被称为“反相器”。[1]
设备定义
随着微电子技术与工艺的不断发展和创新，以计算机为代表的各类数字电子产品应用越来越广泛，与此同时也面临着更加复杂的电磁环境。CMOS反相器是几乎所有数字集成电路设计的核心，它具有较大的噪声容限、极高的输入电阻、极低的静态功耗以及对噪声和干扰不敏感等优点，因此广泛应用于数字集成电路中。HPM可以通过缝隙、孔洞以及外露连接线缆等“后门”途径，耦合进入电子系统内部，影响系统内器件的正常工作，CMOS反相器作为构成数字集成电路最基础的功能单元和数字电子系统中最为典型的器件，极易受HPM“后门”耦合作用的影响，进而产生干扰、扰乱或直接损伤效应。另外，CMOS反相器有明确的逻辑功能，HPM或者其它类型的强电磁脉冲对其产生的扰乱效应相比于对其它器件来讲更加明显。因此，研究数字集成电路或者数字电子系统的HPM效应，可以从CMOS反相器的HPM效应研究入手。已有研究指出HPM可以引起CMOS反相器的闩锁(latch-up)效应，进而导致扰乱效应，Kim等人对CMOS反相器的HPM效应进行了大量的实验研究，得到了一些重要结论，比如，当HPM频率较高时其引发的CMOS反相器扰乱效应将会被抑制等，CMOS反相器在HPM作用下会发生门锁效应并导致功能扰乱，但是一段时间后其功能可能会恢复正常，HPM引起CMOS反相器闩锁效应的能量阈值特性。这些报道多数都是HPM效应实验的结果描述和规律统计，而针对具体效应与规律进行机理分析和微观解释的研究则相对较少。