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    • 中国科学院研究生院教授

    徐秋霞[中国科学院研究生院教授]

    徐秋霞,1942年出生,浙江省余姚市人。中国科学院微电子研究所研究员,博士生导师,中国科学院研究生院教授。

    编辑摘要

    基本信息 编辑信息模块

    中文名: 徐秋霞 出生地: 浙江省余姚市
    民族: 汉族 国籍: 中国
    毕业院校: 浙江大学 代表作品: Senior Member, IEEE, Xiaofong Duan*, Haihua Liu*,Zhengsheng Han, Tiancun Ye,
    籍贯: 浙江省余姚市

    目录

    人物简介/徐秋霞[中国科学院研究生院教授] 编辑

    1967年12月-1978年1月,长春半导体厂,生产线负责人;

    1978年02月至1983年10月,中国科学院半导体研究所,工艺负责人,助理研究员;

    1983年11月至1985年03月,西德拂朗淮霍夫固体技术研究所,访问学者;

    1985年03月至1986年06月,中国科学院半导体研究所,工艺负责人,付研究员;

    1986年06月至1990年12月,中国科学院微电子中心,院重大项目负责人,付研究员;

    1991年01月至1996年04月,中国科学院微电子中心,工艺线主任,项目负责人,研究员;

    1996年05月至1996年10月,美国加洲大学伯克莱分校,高级访问学者;

    1996年11月至2000年9月,中国科学院微电子中心,,九•五国家科技攻关专题负责人,研究员,博导;

    2000年10月至2000年12月,先后赴日本、香港学术交流,高级访问学者;

    2000年12至现在,中国科学院微电子研究所,课题和项目负责人,研究员,博导。

    研究方向/徐秋霞[中国科学院研究生院教授] 编辑

    新一代集成电路器件与工艺技术基础研究 学科类别:

    获奖及荣誉/徐秋霞[中国科学院研究生院教授] 编辑

    先后荣获国家技术发明二等奖、国家科技进步二等奖和北京市及中科院科技进步一、二等奖等共8次。另外还获中科院科技进步三等奖2次。获优秀论文奖多次,其中一篇获中国科协期刊第一届优秀论文奖。

    1992年开始享受国务院颁发的政府特殊津贴。曾先后被中国科学院评为院“七.五”重大科研任务先进工作者,中科院巾帼建功先进个人和中科院京区优秀共产党员等。

    代表论著/徐秋霞[中国科学院研究生院教授] 编辑

    在国内外学术期刊和会议上发表论文110篇,近期代表性论文如下:

    (1)Qiuxia Xu, Senior Member, IEEE, Xiaofong Duan*, Haihua Liu*,Zhengsheng Han, Tiancun Ye, “Low-Cost and Highly Manufacturable Strained Silicon Channel Technique For Strong Hole Mobility Enhancement on 35nm Gate Length pMOSFETs ”,IEEE

    TransactionElectron Device, Vol. 54 , No. 6 , 2007, pp.1394 ― 1401

    (2) Qiuxia Xu, Senior Member, IEEE, Xiaofong Duan*, et al.,“Hole Mobility Enhancement of PMOSFETs with Strain Channel Induced by Ge Pre-amorphization Implantation for Source/Drain Extension”, IEEE Electron Device Letter, Vol.27, No.3, 2006,PP. 179—181;

    (3)徐秋霞  钱鹤段晓峰*  刘海华*  王大海 韩郑生  刘明  陈宝钦李海欧,“具有应变沟道及EOT 1.2nm高性能栅长22nm CMOS器件”,《半导体学报》,27卷,增刊,2006年,pp.86-93;

    (4) H.H. Liu, X.F. Duan, Q.X. Xu, X.Y. Qi, H.O. Li, H. Qian,

    “Nanoscale strain analysis of strained –Si metal-oxide-semiconductor field effect transistors by large angle convergent-beam electrondiffracttion”, Applied Physics Letters, 88, 263513-1~263513-3, 2006.

    (5) 殷华湘, 徐秋霞, “ 体硅 CMOSFinFET结构与特性研究 ”, < 电子学报 >,第33卷, 第8期, 2006, PP. 1484—1486;

    (6)Qiuxia Xu, Senior Member, IEEE,  He Qian,  Zhensheng Han,  Gang Lin,  Ming Liu, Baoqing Chen, Chuanfeng Zhu, Dexin Wu,  “ Characterization of 1.9 nm and 1.4 nm Ultra-thin Gate Oxynitride by Oxidation of Nitrogen- Implanted Silicon Substrate ”, IEEE Transaction Electron Device, Vol. 51, No.1, 2004,p.113-120.

    (7)Qiuxia Xu, Senior Member of IEEE, Qian He, Ming Liu, Yuying Zhao, Baoqing Chen, Zheng sheng Han, Tianchun Ye, Dexin Wu,“ 20 nm Polysilicon Gate Patterning and Application in 36nm CMOS Device”,Joural Vaccum science and Technology B, Vol. 21, No. 6, Nov/Dec, 2003, p.2352-2359.

    承担科研项目情况/徐秋霞[中国科学院研究生院教授] 编辑

    (1)1978年至1983年作为主要技术骨干,分别参与国家科技攻关项目NMOS 4K DRAM、16K DRAM和64K DRAM研制。

    (2)1983年底至1985年作为访问学者,在西德佛朗霍夫固体技术研究所从事SOI MOS工艺及器件研究。

    (3)1986年至1990年为项目负责人,承担院重大科技项目“1-1.5μm新工艺和新器件结构的探索性研究”。

    (4)1989年作为室技术副主任,副研究员,负责开发“VDMOS功率器件生产技术和系列产品开发”。

    (5)1991年至1994年,研究员,室主任,负责包括双极、CMOS、BiCMOS、VDMOS和传感器等多种技术的生产线的开发。

    (6)1994年至1996年,研究员,攀登计划课题负责人, 负责”真空微电子器件研究”。

    (7)1994年至1996年,研究员,作为主要技术骨干,在国家八•五重大科技攻关项目中负责关键技术及集成技术研究。

    (8)1996年5月—10月作为高级访问学者与美国加州大学伯克莱分校Chenming Hu教授合作研究应用于0.2µm CMOS技术的硅化物工艺技术。

    (9)1997年至2000年 “九•五”期间,研究员,作为专题负责人,负责国家九•五重大科技攻关专题 “0.1微米级CMOS器件结构及性能研究”;同时负责国家九•五重大科技攻关专题中0.18—0.25微米CMOS 集成技术研究及其实用电路研制。

    (10)2001年至2005年“十五”期间,研究员,为多课题负责人,负责“973”国家重点基础研究 课题“亚50纳米器件的关键工艺技术基础研究和器件制备”及“863”课题“0.09微米集成电路大生产工艺与可制造性技术研究”的子课题“0.07微米CMOS关键技术及器件研究”和3项国家自然科学基金项目:1) “0.1µm难熔金属栅CMOS器件的研究”; 2) “凹槽自对准双栅MOS器件研究”;3)“纳米级自对准双栅MOS器件结构和工艺研究”。

    (11)2006年-现在,研究员,为多课题负责人:负责“973”国家重点基础研究 课题“新一代集成技术基础问题研究”和2项国家自然科学基金项目:1)“亚50纳米金属栅体硅多栅CMOS器件及关键技术研究”; 2)“高k栅介质/双金属栅器件研究及制备”。还有一项院奖励创新课题和一项所基金课题。

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