抗辐射加固技术

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抗辐射加固技术是为保证电子系统、仪器等在辐射环境中仍能完好并可靠地完成各种预定功能而采取的各种技术措施。

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为保证电子系统、仪器等在辐射环境中仍能完好并可靠地完成各种预定功能而采取的各种技术措施。为了进行抗辐射加固工作，首先须了解辐射环境和辐射效应损伤机制。其次，根据抗辐射指标和电子系统所要完成的性能要求制订失效判据。然后，按照合理的安全系数进行加固设计。从器件生产、电路设计到组装成电子系统，每个环节都可加固，但是元件、器件的加固，是整个加固工作的基础。

半导体分立器件的加固，主要从材料、结构和工艺三方面考虑。原则上，应选择低载流子寿命或高掺杂的材料，即选用低阻材料。结构设计应尽可能做到薄基区、重掺杂、小尺寸（特别是结面积），尽量提高器件的增益和带宽。在工艺方面，需要掌握浅结扩散，以及合适的钝化层材料及厚度。封装要使管壳与管芯间保持高真空或充填适当的填充材料。器件内部采用铝线互联。通过电参数筛选和预辐照退火筛选，优选出抗辐射能力较强的器件，也可获得一定的加固效果。

单元线路的加固需要设计各种补偿电路，用以减小辐射影响。常用的电路有达林顿电路（补偿中子辐照引起的增益下降）、晶体管对电路(补偿瞬时光电流)、集电极阻抗补偿电路、基极－发射极间阻抗补偿电路、发射极负载补偿电路等。为此，要求选择出性能一致的器件。