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  • 沈学础

    沈学础,我国著名物理学家 1938年2月28日生于江苏溧阳。1958年毕业于复旦大学物理系。1995年当选为中国科学院院士。 现任上海大学理学院院长,中国科学院上海技术物理研究所研究员,复旦大学物理系教授。主要从事固体光谱和固体光谱实验方法等方面的科学研究和教学,并取得多项重要成果。他关于InGaAs/GaAs中两类超晶格电子态共存、nipi结构光生载流子的长寿命、磁场下杂质电子—光学声子强耦合互作用等发现和研究结果,也有重要意义。

    编辑摘要

    基本信息 编辑信息模块

    中文名: 沈学础 籍贯: 江苏
    出生地: 江苏省溧阳县 民族:
    国籍: 中国 职业: 物理学家
    毕业院校: 复旦大学 代表作品: 《半导体光学性质》、《半导体光谱和光学性质》

    目录

    人物简介/沈学础 编辑

    1938年生于江苏省溧阳县。
    沈学础沈学础

    1958年毕业于复旦大学物理系,后到中国科学院上海技术物理研究所工作。

    1981年起任红外物理研究室主任。

    1985—1993年任中国科学院红外物理开放实验室主任、国家重点实验室主任。

    1986年晋升为研究员。1993年起任该实验室学术委员会主任;是该实验室主要创建人之一。担任多个国际学术团体与刊物的学术领导职务。

    1995年当选中国科学院数理学部院士。

    2001年起任复旦大学教授。

    研究领域/沈学础 编辑

    沈学础沈学础
    主要从事固体光谱和固体光谱实验方法等方面的科学研究和教学,并取得多项重要成果。

    提出并首先实现光调制共振激发谱、高压下调制吸收光谱、带间跃迁增强与诱发回旋共振,使一些弱固体光谱现象观测研究成为可能。

    发现半导体晶体中新一类局域化振动模,发展了固体中杂质振动的理论;

    发现半磁半导体中d电子和p电子态间杂化,首先测定塞曼杂化态波函数的混和与重组,将固体中微观杂化混和的实验与理论研究推进到新高度;

    最先观测到和测定了GaAs调制掺杂多层结构的量子化能级,实验揭示了这种结构确可形成超晶格和量子阱;

    将硅光热电离光谱灵敏度提高了1—2个数量级,成为超纯材料浅杂质研究检测的首选方法之一,发现硅中两个新施主中心和多条与杂质高激发态相关的新谱线。

    所获荣誉/沈学础 编辑

    他关于InGaAs/GaAs中两类超晶格电子态共存、nipi结构光生载流子的长寿命、磁场下杂质电子—光学声子强耦合互作用等发现和研究结果,也有重要意义。因以上成果两次获国家自然科学奖,两次获中国科学院自然科学一等奖,以及其它多项成果奖励,并于1988年获“国家有突出贡献中青年专家”称号。

    此外,沈学础还在红外物理国家重点实验室建设中取得成果,两次获国家“金牛奖”。 

    主要论著/沈学础 编辑

    发表论文200多篇,并被国外同行广为引用,包括被编写入国外20多种专著、手册、教科书。著有《半导体光学性质》一书,并与其他著者合作,出版著作两本,编辑会议文集三册。已培养博士研究生30余名。[1]

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    参考资料
    [1]^引用日期:2011-06-17

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