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  • 薄膜存储器

    薄膜存储是在集成电路工艺上发展起来的新存储技术。其原理是通过改变硅基底上的薄膜的物理性质,实现数字信息的存储。

    编辑摘要

    目录

    简介/薄膜存储器 编辑

    薄膜存储器薄膜存储器
    薄膜存储器目前有铁电薄膜存储器和有机薄膜存储器等。
    下面以IBM公司的Millipede有机薄膜存储器作为例子对薄膜存储器的原理简要介绍。
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    介绍/薄膜存储器 编辑

    Millipede技术是IBM提出的在聚合物表面读写数据的微机械存储器,因为存储器面积很小,读写头需要移动的距离较传统硬盘小得多,因此功耗很低。随着技术的发展,IBM将采用更大面积的读写头,并改进读写过程,实现大容量高速存储。

    ※Millipede的结构

    如上图所示,中间黄色为聚合物薄膜存储介质,它被沉积在硅基底上(蓝色部分)。图中聚合物薄膜上方接触的绿色部分为硅读写头阵列,在读写时可以沿X和Y方向移动。图中长条形的红色方块表示复用器,用于读写头阵列的寻址。

    ※Millipede的读写过程

    薄膜上的凹坑表示‘1’,平坦表示‘0’。读入数据的过程就是测温的过程:读写头的悬臂在凹坑处由于与坑壁接触,与在没有凹坑处相比散热更快,即低温表示‘1’,高温表示‘0’。
    改写分为将‘0’改为‘1’和将‘1’改为‘0’。在平坦的薄膜上写入‘1’时,读写头通过XY方向的“扫描器”移动到指定存储区域,加热读写头电阻至400℃并接触薄膜,在几纳米厚的薄膜上灼烧出凹坑。
    将‘1’改写为‘0’时,读写头加热后在原来坑的周围运动,使得薄膜熔化填平凹坑。

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