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  • 郑厚植

    郑厚植,院士。中国科学院院士、物理学专家。1942年出生于江苏省。揭示了量子霍耳效应的尺寸效应、量子霍耳电势分布特性,提出和研究了用分裂栅实现准一维电子气的办法和特性。在空穴多体作用诱导的磁阻现象、各类共振隧穿现象、量子霍耳区的磁阻现象及扩散系数、朗道态密度测量和低维激子光谱等方面作出许多有价值的成果。获中国科学院自然科学奖一等奖等。现为北京邮电大学理学院院长。

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    基本信息 编辑信息模块

    中文名: 郑厚植 民族: 汉族
    国籍: 中国 毕业院校: 清华大学

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    人物简介/郑厚植 编辑

    郑厚植郑厚植
    郑厚植,物理学家。江苏常州人。

    1965年毕业于清华大学无线电电子学系。

    中国科学院半导体研究所研究员。

    半导体超晶格国家重点实验室学术委员会主任。

    国家“973”计划IT前沿中的量子结构、量子器件及其集成技术项目首席科学家。

    曾任中国科学院半导体研究所所长。

    在半导体低维物理的系统研究中取得多项重要成果。

    主要成就/郑厚植 编辑

    郑厚植郑厚植
    郑厚植最早报道了量子霍耳效应的尺寸效应,产生了显著影响并推进了国际上霍耳量子效应研究的深入发展。

    与英国Thornton同时独立地最早提出分裂栅控技术并用此技术实现了具有高迁移率一维异质结量子线,被广泛用来制成量子线、点等低维结构在半导体低维物理的系统研究中取得多项先驱性成果。被认为是国际低维半导体结构物理的重要的先驱性工作。

    在空穴多体作用诱导的磁阻现象,各类共振隧穿现象,量子霍耳区的磁阻现象,量子霍耳区的扩散系数,朗道态密度测量和低维激子光谱等方面做出了许多有价值的成果。

    1995年当选为中国科学院院士。

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