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    3D芯片是采用3D Tri-Gate晶体设计制造工艺技术,依靠3D三门晶体管生产的处理器芯片。

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    采用 3D Tri-Gate晶体设计制造工艺技术,依靠3D三门晶体管生产的处理器芯片。

    3D芯片诞生/3D芯片 编辑

    世界上第一款3D芯片工艺已经准备获取牌照,该工艺来自于无晶圆半导体设计公司BeSang公司。BeSang公司制作的用于演示的芯片在其控制逻辑上使用了1.28亿个垂直晶体管用作内存位单元。该芯片的设计在国家Nanofab中心(韩国大田)和斯坦福Nanofab(美国加州)进行。BeSang公司称,该工艺由25个专利所保护,将允许Flash、DRAM以及SRAM放置在逻辑电路、微处理器以及片上系统上。

    BeSang公司声称该公司在底层使用高温处理工艺进行制造逻辑电路,在顶层使用低温工艺来制造内存电路,从而实现了3D芯片。将不同层的逻辑和内存电路放置在同一个芯片中,BeSang的处理工艺在每晶圆中集成了更多的裸片,从而降低了每个裸片的成本。在BeSang,Lee与前三星工程师Junil Park一起,完善了首款真正的3D芯片工艺,后者为第一个用于高K电介质的原子层沉积工具的开发者。因为新的芯片工艺不再堆集裸片,公司称常规的冷却技术就可以工作,因为较厚的3D芯片工艺不会产生格外的热量。

    特点/3D芯片 编辑

    3D芯片仍采用多核,不同的是,多个处理器不再并排相连,而是上下平行地连在一起。这样,线缆的分布面积就扩大至整个处理器的表面,而且平行结构也有效缩短了各个处理器之间缆线的长度。实验显示,平均1平方毫米的面积可以分布100甚至是1000个线缆连接点,不但数据传输速度得到提高,电力消耗也大大减少。虽然3D芯片技术的出发点是为了提高计算机处理器的计算能力,但它的问世对环保事业同样具有非凡的意义。

    3D碳纳米管计算机芯片/3D芯片 编辑

    电子元件的进化历程从未停止,它们变得越来越小、越来越强大,同时越来越廉价,与此同时,科学家从来没有停止过对于速度的追求。两年前的秋天,斯坦福大学的一个科研团队开发出世界上第一台基于碳纳米管制造的计算机,迈出了挑战“硅芯片”计算机制造主流材料的第一步。两年后的今天,科学家让这款芯片成为时髦的3D碳纳米管计算机芯片,新的堆叠方式能让计算机芯片提高到1000倍的速度。

    据科技日报报道,美国研究人员近日表示,他们使用碳纳米管替代硅为原料,让存储器和处理器采用时髦的三维方式堆叠在一起,降低了数据在两者之间的时间,从而大幅提高了计算机芯片的处理速度,运用此方法研制出的3D芯片的运行速度有可能达到目前芯片的1000倍。

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