磷化铟
第二代半导体材料
条目
磷化铟在常温下呈银灰色固体，[3]熔点为1070℃，晶体结构为闪锌矿型。[4]其共价性强，裸核极易氧化，必须包覆无机壳层。[6]磷化铟晶体具有饱和电子漂移速度高、抗辐射能力强、导热性好、光电转换效率高等诸多优点，可以广泛应用于光通信、高频毫米波器件、光电集成电路和外层空间用太阳电池等领域。[4]长期或反复接触磷化铟会造成器官损伤，也可能会影响生育能力。[5]
2025年2月，磷化铟及其生产技术被列入出口管制物项。[7][8]磷化铟是制造激光器芯片所用的衬底材料，截至2026年，没有其他材料能同时满足高频调制、高效发光和低传输损耗这三个条件。全球磷化铟衬底九成以上的产能集中于日本住友电工、美国AXT、日本JX金属三家企业；中国的处境颇为特殊，上游铟资源全球领先，精铟产量约占全球七成。[8]