磷化铟
第二代半导体材料
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磷化铟具有闪锌矿型晶体结构，熔点为1070°C。磷化铟多晶合成的方法一般包括水平布里奇曼法和直接注入法。单晶制备主要采用垂直布里奇曼法（VB）、垂直温度梯度凝固法（VGF）和液封直拉法（LEC），单晶生长方法主要有高压液封直拉法（HPLEC）及其改进技术和温度梯度凝固法两种[3]。
磷化铟晶体具有饱和电子漂移速度高、抗辐射能力强、导热性好、光电转换效率高等诸多优点，可广泛应用于光通信、高频毫米波器件、光电集成电路和外层空间用太阳电池等领域。典型的磷化铟基光电子器件有光波导器件、激光器、探测器和太阳电池等，微电子器件有高电子迁移率晶体管（HEMT）、毫米波和微波器件、高速数字集成电路及异质结双极晶体管（HBT）等。这些器件已成为新一代光纤通信、高精度武器系统、空间探测和空间卫星系统等的关键部件[3]。