林兰英
中国科学院院士、半导体材料科学家
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林兰英（1918年2月7日—2003年3月4日[2][5]），女，福建莆田人，博士毕业于美国宾夕法尼亚大学，半导体材料科学家，中国科学院学部委员，中国科学院半导体研究所研究员、博士生导师。曾任中国科学院半导体研究所副所长，[6]被誉为“中国半导体材料之母”、“中国太空材料之母”。[7][4]
林兰英于1940年从福建协和大学毕业后留校任教；1948年赴美留学，进入宾夕法尼亚州迪金森学院数学系学习；1949年获得迪金森学院数学学士学位，同年进入宾夕法尼亚大学研究生院进行固体物理的研究，先后获得硕士、博士学位；1955年博士毕业后进入纽约长岛的索菲尼亚公司担任高级工程师进行半导体研究；1957年1月回到中国，并进入中国科学院物理研究所工作；1960年中国科学院半导体研究所成立后，林兰英担任该所研究员；1977年至1983年担任中国科学院半导体研究所副所长；1980年当选为中国科学院学部委员（院士）[a]，2003年3月4日在北京逝世，享年85岁。[2][3][4][7][5]
林兰英主要从事半导体材料制备及物理的研究，是我国半导体科学事业开拓者之一。林兰英先后负责研制成中国第一根硅、锑化铟、砷化镓、磷化镓等单晶，以及锗单晶，为中国微电子和光电子学的发展奠定了基础，负责研制的高纯度汽相和液相外延材料达到国际先进水平，[9][2][10]在开拓我国太空砷化镓单晶材料的实验和特性研究方面，有着突出贡献，极大推进了我国半导体材料的研究高度，并开创了中国微重力半导体材料科学研究新领域。[9][11][2][10]
林兰英代表著作有《林兰英论文选》。[1]根据2021年6月《莆田侨乡时报》显示，林兰英先后四次获得中国科学院科技进步奖一等奖，两次获国家科技进步二、三等奖，并获得何梁何利基金科学与技术进步奖、霍英东成就奖等荣誉。[10][12]