三极管
控制电流的半导体器件
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三极管（triode）是一种控制电流的半导体器件，按结构原理可分为真空三极管和晶体三极管。但真空三极管已基本淘汰，所以目前默认三极管是晶体三极管（以下主要介绍晶体三极管）。晶体三极管也称为双极型三极管、半导体三极管。其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号，也用作无触点开关。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把整块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区。发射区用于发射载流子，基区用于控制电流，集电区用于收集载流子。排列方式有PNP和NPN两种。[1][2][6][7][8]
世界上第一个三极管是真空三极管，由美国发明家弗雷斯特发明，但是真空三极管存在笨重、耗能、反应慢等缺点。1947年12月23日，美国贝尔实验室的3位科学家——巴丁博士、布莱顿博士和肖克莱博士发明了晶体三极管。早期三极管材料为锗晶体，后期改为性能更优异的硅晶体。现在三极管已成为集成电路等电子电路领域的重要组成部分。[6][7][8][9]
三极管是一种控制器件，也是电子电路核心器件，可用来对微弱信号进行放大或作为无触头开关。三极管实现放大作用的条件是发射极加正偏电压，集电极加反偏电压，并且基区宽度
足够小。三极管在电路中还具有变阻、变容、稳压、功放等作用。同时具有结构牢固、寿命长、体积小、耗电省等一系列独特优点。[4][10][11][12]