全超导磁体
由超导材料绕制而成的磁体
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2016年5月，中科院电工研究所王秋良研究组采用自主研发的高温内插磁体技术，将YBCO内插磁体在15T超导背场下的中心磁场提高到了24@4.2K，使 得中国成为继美国、日本、韩国之后实现24T全超导磁体的国家。[3]2019年12月6日，中国科学院院士王秋良团队采用自主研发的高温内插磁体技术，研制出了中心磁场高达32.35T的全超导磁体。该磁体打破了2017年12月由美国国家强磁场实验室创造的32.0T超导磁体的世界纪录，标志着中国高场内插磁体技术已经达到世界领先水平。[4]2024年10月，中国科学院等离子体物理研究所与清华大学机械系瞿体明副教授课题组合作，使用全国产材料成功研制了一款中心磁场达32.4T，电磁孔径17mm的验证性全超导磁体。该款磁体实现了极高场超导磁体材料、设计、制造的全国产化和全自主可控。[2]2025年9月26日至27日，中国科学院合肥物质科学研究院等离子体物理研究所牵头联合合肥国际应用超导中心、合肥综合性国家科学中心能源研究院及清华大学共同研制的全超导磁体，成功产生35.10万高斯的稳态强磁场。[1]2026年1月27日，中国科学院表示，中国科研团队成功研制出中心磁场强度达35.6特斯拉的全超导用户磁体，刷新了全超导用户磁体的纪录。[5]