长鑫存储技术有限公司,简称长鑫存储,是一家一体化存储器制造公司,专注于动态随机存取存储芯片(DRAM)的设计、研发、生产和销售,技术研究和开发中心负责人为周梅生。公司于2017年11月16日成立,注册地址为安徽省合肥市经济技术开发区启德路799号,长鑫存储总部位于安徽合肥。[4]现任董事长为朱一明[5][a],法定代表人是吴丽影,执行董事兼总经理赵纶。[2] 长鑫存储以技术为核心,加强管理体系的建设,在奇梦达技术的基础上,利用专用研发线快速迭代研发,同时结合当前先进设备大幅度改进工艺,开发出独有的技术体系,成为奇梦达技术的继承者和发扬者,2019年底,长鑫存储从Polaris获得DRAM技术专利的实施许可。截至2021年有47位博士,918位硕士,拥有行业顶尖海外研发和管理人才担任技术顾问。承担国家科技重大专项项目《19nm DRAM产品研发与产业化》,申请中国专利超过2000件,获取发明专利授权和实用新型授权近800件,申请PCT国际专利近100件,截 至2026年5月,软件著作权共有19件。[1][6][7]长鑫存储的技术团队拥有丰富的技术研发经验和创新能力,已推出多款DRAM商用产品,广泛应用于移动终端、电脑、服务器、虚拟现实和物联网等领域。[4][2]长鑫存储技术有限公司的二期扩建预计于2024年底前完成。[8]2025年1月,长鑫存储技术有限公司被美国国防部列入1260H名单。[9]英媒报道,2026年8月28日,长鑫存储向美国哥伦比亚特区联邦地区法院提起诉讼,指控美国防部将长鑫存储列入所谓“涉军企业”名单的决定是“武断的”、缺乏证据支持,且违反正当程序。[10] 2022年第三届中国半导体投资联盟年会暨中国IC风云榜颁奖典礼上,《2021中国半导体企业100强》排行榜正式发布。榜单显示,长鑫存储排名第10位。[11]同年11月2日,中科院《互联网周刊》、eNet硅谷动力、德本咨询联合发布“2022集成电路独角兽企业TOP50”,长鑫存储技术有限公司在其中。[12] 历史沿革
2016年5月,长鑫存储的事业在“创新之都”——安徽合肥启动,长鑫存储(合肥)DRAM基地一期项目也于2016年启动,总投资1500亿元,专业从事DRAM内存的研发、生产和销售。[2][6]此外,长鑫存储在北京拥有12英寸DRAM晶圆厂,该工厂与合肥基地共同构成其主要生产布局。[13]次年3月,该项目开工建设。2018年1月,长鑫存储(合肥)DRAM基地一期项目完成厂房建设,开始设备搬入。在2018年7月验证投片,试产8GbDDR4工程样品。2019年9月,8Gb DDR4亮相世界制造业大会。2019年11月获得首笔订单,产品销售由此启动。[4]2019年底,长鑫存储从Polaris获得DRAM技术专利的实施许可。[6]