磁阻效应

金属等阻值随磁场变化的现象
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磁阻效应（Magnetoresistance Effects，MR），是指金属或半导体的电阻值随外加与电流垂直的磁场的变化而变化的现象[1][2]。
1857年，英国的威廉·汤姆森（Wiliam Thomson）首先发现了铁磁多晶体的各向异性磁电阻效应。磁阻效应是由于载流子在磁场中受到洛伦兹力而产生的[3]。磁阻效应主要有常磁阻、巨磁阻、庞磁阻、各向异性磁阻、隧道磁阻、直冲磁阻、顺行磁阻、异常磁阻等，以及与电感、阻抗相关的巨磁阻抗效应[2][3]。衡量磁阻效应大小的物理量称为归一化磁电阻，即用电阻率的相对改变量来标示磁阻[3]。

分类

若外加磁场与外加电场垂直，称为横向磁阻效应；若外加磁场与外加电场平行，称为纵向磁阻效应。一般情况下，载流子的有效质量的驰豫时时间与方向无关，则纵向磁感强度不引起载流子偏移，因而无纵向磁阻效应。
磁阻效应主要分为：常磁阻，巨磁阻，超巨磁阻，异向磁阻，穿隧磁阻效应等