胡正明

中国科学院外籍院士
胡正明,1947年7月出生于中国北京。[1]美籍华人微电子学家。[2]美国工程科学院院士、[1]中国科学院外籍院士。[7]曾任美国加州大学伯克利分校教授。[5]
1973年,胡正明受聘于美国麻省理工学院电机及计算机系任教授,1976年回到母校美国加州大学伯克利分校任教授。[5]之后,胡正明分别于1989年和1991年任旧金山东湾中文学校董事长和清华大学(北京)微电子学研究所荣誉教授。[1][5]1999年,胡正明开发了鳍式场效应晶体管(FinFET),被称为“3D晶体管之父”。[3]2001年,胡正明任台湾积体电路制造股份有限公司首席技术官[3]并于三年后,重返美国加州大学伯克利分校任首席教授,同年被台湾“中央研究院”选为第二十五届数理组院士,成为半导体领域的第一位院士。[5]2013年10月29日,胡正明被北京大学微纳电子学研究院评为国际顾问委员会主任。[2]胡正明主要从事微电子微型化物理及可靠性物理研究。[1]截至2020年3月,胡正明出版学术专著五本,发表900余篇研究论文,拥有100多项美国专利。[3]
胡正明曾于1998年获得美国科学学会Monie Ferst Award奖,次年获得潘文渊基金会杰出研究奖。[5]2015年获得美国国家技术和创新奖,[6]2020年获得IEEE荣誉奖章。[3]

人物经历

早期经历