抑制性突触后电位
抑制性突触后电位
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IPSP是突触后膜的超极化电位，使膜电位远离兴奋电位水平。IPSP与EPSP相反，其峰值和持续时间与EPSP相似。IPSP属于局部电位，具有局部电位的一般特征。它是一种超极化电位，由外向电流引起。通过测量IPSP的平衡电位，可以确定IPSP形成的离子基础。使用电流钳法测量膜电位和IPSP的反转电位。被测神经元的静息电位为-74mV，反转电位为-82mV。该电位与和相近，表明IPSP的形成可能与内流或外流导致的外。[2]
特点
（1）突触前膜释放递质是Cl-内流引发的；