杨富华

研究员
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杨富华，1961年生，研究员，博士生导师，半导体超晶格国家重点实验室副主任（兼），半导体所集成技术研究中心主任，中国微米纳米技术学会理事，中国纳米技术学会分会常务理事。法国图鲁兹Paul Sabatier 大学博士毕业，主要从事半导体低维结构的物理和器件研究。作为半导体所集成技术研究中心的主任，主要负责了大型设备的调研、选型以及其他配套设备的方案确定，参与了集成技术研究中心的整体建设，带领中心朝气蓬勃的技术团队发展了专业化和集成化的半导体工艺和表征测试技术，开展了所内外广泛的科研合作，得到了同仁的肯定和认可。

半导体所集成技术研究中心主任

发表论文60余篇，专利20余项。在以下科研工作方面取得了较好的成绩：共振隧穿二极管的物理及其分立器件和集成电路；量子阱和量子点平面微腔的物理研究；半导体光子存储器的研究；APD雪崩二极管和红外单光子探测系统研制；单电子晶体管及其电路，大功率LED的芯片研发。
现主要从事纳米技术、量子结构、量子器件及其集成技术的研究，器件工艺和测试设备先进，具有很好的科研积累，研究经费充足。
主要项目