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  • 梁骏吾

    梁骏吾(1933.9.18-- ) 半导体材料专家。湖北省武汉市人。1955年毕业于武汉大学,1960年获原苏联科学院冶金研究所副博士学位。中国科学院半导体研究所研究员。

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    基本信息 编辑信息模块

    中文名: 梁骏吾 籍贯: 湖北省武汉市
    出生地: 湖北省武汉市 民族:
    国籍: 中国 职业: 科学 科学家
    毕业院校: 武汉大学 政党: 中国共产党

    目录

      

    概述/梁骏吾 编辑

    60年代解决了高纯区熔硅的关键技术。1964年制备出室温激光器用GaAs 液相外延材料。1979年研制成功为大规模集成电路用的无位错、无旋涡低微缺陷低碳、可控氧量的优质硅区

    熔单/梁骏吾 编辑

    晶。80年代首创了掺氮中子嬗变硅单晶,解决了硅片的完整性和均匀性问题。90年代初研究MOCVD生长超晶格量子阱材料,在晶体完整性、电学性能和超晶格结构控制方面, 将我国超晶格量子阱材料推进到实用水平。主持“七五”、“八五”重点硅外延攻关,完成了微机控制、光加热、低压硅外延材料生长和设备的研究。获国家科委科技成果二等奖一次、中国科学院科技进步奖一等奖1次、中国科学院重大成果一等奖两次,以及其它国家部级奖励多次。
      1997年当选为中国工程院院士。

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