梁骏吾

科学家
梁骏吾(1933年9月18日-2022年6月23日),湖北武汉人,我国著名的半导体材料学家,中国科学院半导体研究所研究员,中国工程院院士。1955年毕业于武汉大学物理专业,1956年至1960年在前苏联科学院莫斯科巴依可夫冶金研究所学习,获得副博士学位。梁骏吾是我国早期半导体硅材料的奠基人,曾任中国电子学会半电子材料学分会主任、名誉主任。他的研究领域包括高纯区熔硅单晶、砷化镓液相外延、硅气相外延、SiO2隔离膜生长和多晶硅生长等。2022年6月23日,梁骏吾因病医治无效在北京逝世,享年89岁。

人物经历

早期经历

1933年9月18日出生于湖北汉口(今武汉)。1951年考入武汉大学物理系。 1956年获政府奖学金赴苏联留学,1960年获苏联科学院贝科夫冶金研究所副博士学位。
1960年梁启超回国,同年任中国科学院半导体研究所助理研究员。 1970年任宜昌半导体厂助理研究员,直至1979年。1978年晋升为中国科学院半导体研究所研究员。