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  • 梁骏吾

    梁骏吾 (1933.9.18-- ) 半导体材料专家。湖北省武汉市人。1955年毕业于武汉大学,1960年获原苏联科学院冶金研究所副博士学位。中国科学院半导体研究所研究员。持“七五”、“八五”重点硅外延攻关,完成了微机控制、光加热、低压硅外延材料生长和设备的研究。获国家科委科技成果二等奖一次、中国科学院科技进步奖一等奖1次、中国科学院重大成果一等奖两次,以及其它国家部级奖励多次。 1997年当选为中国工程院院士。

    编辑摘要

    基本信息 编辑信息模块

    中文名: 梁骏吾 出生地: 湖北省武汉市
    民族: 国籍: 中国
    职业: 科学 科学家 毕业院校: 武汉大学
    政党: 中国共产党 籍贯: 湖北省武汉市

    目录

    个人履历/梁骏吾 编辑

    梁骏吾 梁骏吾

    □ 工作单位:中国科学院半导体研究所

    □ 所在学部:中国工程院 信息与电子工程学部

    □ 专业特长:半导体材料

    梁骏吾 (1933.9.18--) 半导体材料专家。湖北省武汉市人。1955年毕业于武汉大学,1960年获原苏联科学院冶金研究所副博士学位。中国科学院半导体研究所研究员。60年代解决了高纯区熔硅的关键技术。1964年制备出室温激光器用GaAs 液相外延材料。1979年研制成功为大规模集成电路用的无位错、无旋涡、低微缺陷、低碳、可控氧量的优质硅区熔单晶。80年代首创了掺氮中子嬗变硅单晶,解决了硅片的完整性和均匀性的问题。90年代初研究MOCVD生长超晶格量子阱材料,在晶体完整性、电学性能和超晶格结构控制方面,将中国超晶格量子阱材料推进到实用水平。主持“七五”、“八五”重点硅外延攻关,完成了微机控制、光加热、低压硅外延材料生长和设备的研究。获国家科委科技成果二等奖一次、中国科学院科技进步奖一等奖1次、中国科学院重大成果一等奖两次,以及其它国家部级奖励多次。

    1997年当选为中国工程院院士。

    工作简历/梁骏吾 编辑

    1960-1969,半导体研究所,副室主任;助研

    1970-1978,湖北宜昌半导体厂,助理研究员

    1978-,半导体研究所,研究员

    2011-受聘哈工大合约教授

    学术或专业团体任职/梁骏吾 编辑

    1984-,中国电子学会电子材料分会,副主任委员

    1991-,中国材料研究学会,理事

    1985-,中国电子学会,会士

    个人其它信息/梁骏吾 编辑

    专业领域

    半导体材料

    研究成就:

    1978-1980,解决VLSI用硅单晶,主持

    1983-1988,首创掺氮中子单晶,主持

    1985-1995,硅外延材料制备,主持

    1990-1994,生长超晶格量子阱材料,主持

    获奖:

    1964,高纯区溶硅单晶,国家科学技术委员会,科学技术成果奖,二等

    1980,16K位MOS动态随机存储器,中国科学院,科学技术成果奖,一等

    1988,掺氮中子嬗变硅单晶,中国科学院,科学技术进步奖,一等

    1985,LPE GaAlAs/GaAs异质结构缺陷研究,晶体生长杂志,

    1990,半导体,化工出版社,

    1991,水平式外延系统的计算机模拟,电子学报19,30,

    成果

    1、减压薄层硅外延片

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