也称为电子型半导体。N型半导体即自由电子浓度远大于空穴浓度的杂质半导体,其名称来源于英文Negative首字母。通过在硅、锗等Ⅳ族半导体中掺入磷、砷等Ⅴ族元素形成施主杂质,杂质原子通过替位掺杂释放多余电子成为导电载流子,整体维持电中性。 特点
半导体中有两种载流子,即价带中的空穴和导带中的电子,以电子导电为主的半导体称之为N型半导体,与之相对的,以空穴导电为主的半导体称为P型半导体。 “N”表示负电的意思,取自英文Negative的第一个字母。在这类半导体中,参与导电的 (即导电载体) 主要是带负电的电子,这些电子来自半导体中的施主。凡掺有施主杂质或施主数量多于受主的半导体都是N型半导体。例如,含有适量五价元素砷[shēn]、磷、锑等的锗或硅等半导体。由于N型半导体中正电荷量与负电荷量相等,故N型半导体呈电中性。自由电子主要由杂质原子提供,空穴由热激发形成。掺入的杂质越多,多子(自由电子)的浓度就越高,导电性能就越强。 形成原理