化学气相沉积(Chemical vapor deposition,简称CVD)是一种利用含有薄膜元素的一种或几种气相化合物或单质,在气态条件下通过化学反应生成固态物质并沉积在加热的固态基体表面的工艺技术,广泛应用于制备高纯度、高性能的固态材料。半导体产业中,CVD技术被用于生产薄膜,包括单晶、多晶、非晶及磊晶材料。此技术对于贵金属薄膜和涂层的制备尤为重要,并在航空航天领域有广泛应用。 介绍
化学气相沉积技术已成为制备无机材料的新技术,广泛用于提纯物质、研制新晶体、沉积各种单晶、多晶或玻璃态无机薄膜材料。这些材料包括氧化物、硫化物、氮化物、碳化物以及III-V、II-IV、IV-VI族的二元或多元元素间化合物。其物理功能可以通过气相掺杂的沉积过程精确控制。CVD技术也常用于生成合成钻石和其他高性能材料,如硅、碳纤维、碳奈米纤维、奈米线、奈米碳管、SiO2、硅锗、钨、硅碳、氮化硅、氮氧化硅及各种不同的high-k介质等。 原理
化学气相沉积技术是应用气态物质在固体上产生化学反应和传输反应等并产生固态沉积物的一种工艺,它大致包含三步: